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Herstellerteilenummer | IMC1210EBR18M |
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Zukünftige Teilenummer | FT-IMC1210EBR18M |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | IMC-1210 |
IMC1210EBR18M Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Art | Wirewound |
Material - Kern | Iron Powder |
Induktivität | 180nH |
Toleranz | ±20% |
Aktuelle Bewertung | 518mA |
Strom - Sättigung | - |
Abschirmung | Unshielded |
Gleichstromwiderstand (DCR) | 280 mOhm Max |
Q @ Freq | 30 @ 25.2MHz |
Frequenz - Eigenresonanz | 400MHz |
Bewertungen | - |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 125°C |
Induktivitätsfrequenz - Test | 25.2MHz |
Eigenschaften | - |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / fall | 1210 (3225 Metric) |
Supplier Device Package | 1210 |
Größe / Abmessung | 0.126" L x 0.098" W (3.20mm x 2.49mm) |
Höhe - sitzend (max.) | 0.095" (2.41mm) |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IMC1210EBR18M Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | IMC1210EBR18M-FT |
IMC1210EB100J
Vishay Dale
IMC1210EB100K
Vishay Dale
IMC1210EB101J
Vishay Dale
IMC1210EB101K
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IMC1210EB10NK
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IMC1210EB10NM
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IMC1210EB120J
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IMC1210EB120K
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IMC1210EB121J
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IMC1210EB121K
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APA300-PQ208
Microsemi Corporation
LCMXO640E-3FT256I
Lattice Semiconductor Corporation
A42MX16-2VQG100
Microsemi Corporation
EP3C80U484C7N
Intel
10M08DAF256I7G
Intel
5SGXMB5R3F40C2LN
Intel
5SGXEA5K3F35I3LN
Intel
EP4SE530H35C2
Intel
XC4VFX100-10FFG1152C
Xilinx Inc.
LFE3-70E-6FN484I
Lattice Semiconductor Corporation