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Herstellerteilenummer | IMC1210ER4R7J |
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Zukünftige Teilenummer | FT-IMC1210ER4R7J |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | IMC-1210 |
IMC1210ER4R7J Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Art | Wirewound |
Material - Kern | Iron Powder |
Induktivität | 4.7µH |
Toleranz | ±5% |
Aktuelle Bewertung | 224mA |
Strom - Sättigung | - |
Abschirmung | Unshielded |
Gleichstromwiderstand (DCR) | 1.5 Ohm Max |
Q @ Freq | 30 @ 7.96MHz |
Frequenz - Eigenresonanz | 50MHz |
Bewertungen | - |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 125°C |
Induktivitätsfrequenz - Test | 7.96MHz |
Eigenschaften | - |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / fall | 1210 (3225 Metric) |
Supplier Device Package | 1210 |
Größe / Abmessung | 0.126" L x 0.098" W (3.20mm x 2.49mm) |
Höhe - sitzend (max.) | 0.095" (2.41mm) |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IMC1210ER4R7J Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | IMC1210ER4R7J-FT |
IMC1210EB8R2K
Vishay Dale
IMC1210EBR10J
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XC6SLX150-3FGG900I
Xilinx Inc.
XC2S200-6PQG208C
Xilinx Inc.
M2GL025T-1FCSG325
Microsemi Corporation
EP3C16F484C7
Intel
5SGSMD4K2F40I3L
Intel
EP1M350F780I6N
Intel
LCMXO3LF-9400E-6BG256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP2S90F780C4N
Intel
EPF6016QC240-3N
Intel
5SGSMD3H1F35C1N
Intel