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Herstellerteilenummer | IMC1210ER82NJ |
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Zukünftige Teilenummer | FT-IMC1210ER82NJ |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | IMC-1210 |
IMC1210ER82NJ Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Art | Wirewound |
Material - Kern | Non-Magnetic |
Induktivität | 82nH |
Toleranz | ±5% |
Aktuelle Bewertung | 450mA |
Strom - Sättigung | - |
Abschirmung | Unshielded |
Gleichstromwiderstand (DCR) | 400 mOhm Max |
Q @ Freq | 30 @ 50MHz |
Frequenz - Eigenresonanz | 900MHz |
Bewertungen | - |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 125°C |
Induktivitätsfrequenz - Test | 50MHz |
Eigenschaften | - |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / fall | 1210 (3225 Metric) |
Supplier Device Package | 1210 |
Größe / Abmessung | 0.126" L x 0.098" W (3.20mm x 2.49mm) |
Höhe - sitzend (max.) | 0.095" (2.41mm) |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IMC1210ER82NJ Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | IMC1210ER82NJ-FT |
IMC1210EBR27M
Vishay Dale
IMC1210EBR33J
Vishay Dale
IMC1210EBR33K
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IMC1210EBR39J
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IMC1210EBR47K
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IMC1210EBR47M
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A54SX16A-2TQG144
Microsemi Corporation
XC3S1000-4FGG676I
Xilinx Inc.
APA600-FGG484A
Microsemi Corporation
APA600-FG256
Microsemi Corporation
LCMXO3L-2100E-5UWG49ITR
Lattice Semiconductor Corporation
EP1C3T100I7
Intel
A3PN250-1VQG100
Microsemi Corporation
EP3C55F484C8
Intel
5SGXEA7H3F35C2N
Intel
5AGXMA5G4F31C4N
Intel