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Herstellerteilenummer | IMC1812EBR82K |
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Zukünftige Teilenummer | FT-IMC1812EBR82K |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | IMC-1812 |
IMC1812EBR82K Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Art | Wirewound |
Material - Kern | Non-Magnetic |
Induktivität | 820nH |
Toleranz | ±10% |
Aktuelle Bewertung | 250mA |
Strom - Sättigung | - |
Abschirmung | Unshielded |
Gleichstromwiderstand (DCR) | 1.6 Ohm Max |
Q @ Freq | 30 @ 25.2MHz |
Frequenz - Eigenresonanz | 140MHz |
Bewertungen | - |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 125°C |
Induktivitätsfrequenz - Test | 25.2MHz |
Eigenschaften | - |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / fall | 1812 (4532 Metric) |
Supplier Device Package | 1812 |
Größe / Abmessung | 0.177" L x 0.126" W (4.50mm x 3.20mm) |
Höhe - sitzend (max.) | 0.134" (3.40mm) |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IMC1812EBR82K Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | IMC1812EBR82K-FT |
IMC1812EB150K
Vishay Dale
IMC1812EB151J
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IMC1812EB1R0K
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XA6SLX45-3CSG484I
Xilinx Inc.
XC6SLX25-3FTG256C
Xilinx Inc.
XC6SLX100T-2FG676I
Xilinx Inc.
XC3S400-5PQG208C
Xilinx Inc.
A3PN010-QNG48I
Microsemi Corporation
EP3C80F484C8N
Intel
EP4CE6F17C6N
Intel
XC6VLX130T-2FFG1156I
Xilinx Inc.
A40MX04-PL84I
Microsemi Corporation
LCMXO640E-3B256I
Lattice Semiconductor Corporation