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Herstellerteilenummer | IMC1812ER8R2J |
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Zukünftige Teilenummer | FT-IMC1812ER8R2J |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | IMC-1812 |
IMC1812ER8R2J Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Art | Wirewound |
Material - Kern | Iron Powder |
Induktivität | 8.2µH |
Toleranz | ±5% |
Aktuelle Bewertung | 270mA |
Strom - Sättigung | - |
Abschirmung | Unshielded |
Gleichstromwiderstand (DCR) | 1.4 Ohm Max |
Q @ Freq | 50 @ 7.96MHz |
Frequenz - Eigenresonanz | 25MHz |
Bewertungen | - |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 125°C |
Induktivitätsfrequenz - Test | 7.96MHz |
Eigenschaften | - |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / fall | 1812 (4532 Metric) |
Supplier Device Package | 1812 |
Größe / Abmessung | 0.177" L x 0.126" W (4.50mm x 3.20mm) |
Höhe - sitzend (max.) | 0.134" (3.40mm) |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IMC1812ER8R2J Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | IMC1812ER8R2J-FT |
IMC1812EBR18M
Vishay Dale
IMC1812EBR22J
Vishay Dale
IMC1812EBR22K
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IMC1812EBR27J
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IMC1812EBR33J
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IMC1812EBR33K
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IMC1812EBR33M
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A1415A-PQ100C
Microsemi Corporation
XC7A25T-2CSG325I
Xilinx Inc.
LAXP2-8E-5QN208E
Lattice Semiconductor Corporation
10M25DAF484C7G
Intel
5SGXMA4K1F35C2LN
Intel
EP4SGX530HH35C3NES
Intel
XC2VP20-6FF1152C
Xilinx Inc.
XC7K410T-2FFG900I
Xilinx Inc.
AGL1000V2-CSG281
Microsemi Corporation
EP4CE40F29I7N
Intel