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Herstellerteilenummer | IMC1812RQR10M |
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Zukünftige Teilenummer | FT-IMC1812RQR10M |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | IMC-1812 |
IMC1812RQR10M Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Art | Wirewound |
Material - Kern | Non-Magnetic |
Induktivität | 100nH |
Toleranz | ±20% |
Aktuelle Bewertung | 450mA |
Strom - Sättigung | - |
Abschirmung | Unshielded |
Gleichstromwiderstand (DCR) | 320 mOhm Max |
Q @ Freq | 30 @ 25.2MHz |
Frequenz - Eigenresonanz | 650MHz |
Bewertungen | - |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 125°C |
Induktivitätsfrequenz - Test | 25.2MHz |
Eigenschaften | - |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / fall | 1812 (4532 Metric) |
Supplier Device Package | 1812 |
Größe / Abmessung | 0.177" L x 0.126" W (4.50mm x 3.20mm) |
Höhe - sitzend (max.) | 0.134" (3.40mm) |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IMC1812RQR10M Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | IMC1812RQR10M-FT |
IMC1812ET1R0K
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XC4005XL-2TQ144C
Xilinx Inc.
XC2S100-6FGG256C
Xilinx Inc.
A54SX32A-CQ208
Microsemi Corporation
EP4CE10E22I8LN
Intel
5SGXEABK2H40I2LN
Intel
5SGXMABK2H40I3LN
Intel
A42MX09-PL84I
Microsemi Corporation
LFE2-20SE-5FN484I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX066K3F35E2SG
Intel
EP3C80F780C7N
Intel