Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt / IMD1AT108
Herstellerteilenummer | IMD1AT108 |
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Zukünftige Teilenummer | FT-IMD1AT108 |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
IMD1AT108 Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Not For New Designs |
Transistortyp | 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) |
Stromabnehmer (Ic) (max.) | 100mA |
Spannung - Durchschlag Kollektoremitter (max.) | 50V |
Widerstand - Basis (R1) | 22 kOhms |
Widerstand - Emitterbasis (R2) | - |
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) bei Ic, Vce | 100 @ 1mA, 5V |
Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic | 300mV @ 500µA, 5mA |
Strom - Kollektorabschaltung (max.) | - |
Frequenz - Übergang | 250MHz |
Leistung max | 300mW |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / fall | SC-74, SOT-457 |
Supplier Device Package | SMT6 |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IMD1AT108 Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | IMD1AT108-FT |
XN0431400L
Panasonic Electronic Components
XN0431500L
Panasonic Electronic Components
XN0431600L
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XN0432200L
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XN0438100L
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EPF6010ATC144-1
Intel
LCMXO640C-5T144C
Lattice Semiconductor Corporation
XC3SD3400A-4CS484C
Xilinx Inc.
XC3S200-4FTG256I
Xilinx Inc.
XC2S30-6VQG100C
Xilinx Inc.
A3P1000L-FG256
Microsemi Corporation
A3P125-2PQG208I
Microsemi Corporation
AGLN060V5-VQ100I
Microsemi Corporation
LFXP6E-3F256C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX115N3F45I2SG
Intel