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Herstellerteilenummer | IMN11T110 |
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Zukünftige Teilenummer | FT-IMN11T110 |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
IMN11T110 Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Not For New Designs |
Diodenkonfiguration | 2 Pair Common Cathode |
Diodentyp | Standard |
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) | 80V |
Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) (pro Diode) | 100mA |
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If | 1.2V @ 100mA |
Geschwindigkeit | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed |
Reverse Recovery Time (trr) | 4ns |
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr | 100nA @ 70V |
Betriebstemperatur - Übergang | 150°C (Max) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / fall | SC-74, SOT-457 |
Supplier Device Package | 6-SMD |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IMN11T110 Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | IMN11T110-FT |
BAS 70-06 B5003
Infineon Technologies
BAS40-06LT1
ON Semiconductor
BAT 54-04 B5003
Infineon Technologies
BAT 54-05 B5003
Infineon Technologies
BAT 54-06 B5003
Infineon Technologies
BAT 64-04 B5003
Infineon Technologies
BAT 64-05 B5003
Infineon Technologies
BAT 64-06 B5003
Infineon Technologies
BAT1805E6327NTSA1
Infineon Technologies
BAT54A
ON Semiconductor
XC7A75T-1FTG256C
Xilinx Inc.
XC2S50E-6FTG256I
Xilinx Inc.
XC3S1000-5FG676C
Xilinx Inc.
A42MX36-PQG240M
Microsemi Corporation
A3P125-1PQG208I
Microsemi Corporation
EP3C10F256C8N
Intel
5SGSMD6N3F45C4N
Intel
A42MX16-FPQG160
Microsemi Corporation
LFE3-70EA-6FN1156C
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXMB1G4F35I5N
Intel