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Herstellerteilenummer | IMS02BH1R2J |
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Zukünftige Teilenummer | FT-IMS02BH1R2J |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | IMS-2 |
IMS02BH1R2J Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Obsolete |
Art | Molded |
Material - Kern | Iron |
Induktivität | 1.2µH |
Toleranz | ±5% |
Aktuelle Bewertung | 247mA |
Strom - Sättigung | - |
Abschirmung | Shielded |
Gleichstromwiderstand (DCR) | 730 mOhm Max |
Q @ Freq | 40 @ 7.9MHz |
Frequenz - Eigenresonanz | 130MHz |
Bewertungen | - |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 105°C |
Induktivitätsfrequenz - Test | 7.9MHz |
Eigenschaften | - |
Befestigungsart | Through Hole |
Paket / fall | Axial |
Supplier Device Package | Axial |
Größe / Abmessung | 0.095" Dia x 0.250" L (2.41mm x 6.35mm) |
Höhe - sitzend (max.) | - |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IMS02BH1R2J Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | IMS02BH1R2J-FT |
IM08BH122J
Vishay Dale
IM08BH152H
Vishay Dale
IM08BH152J
Vishay Dale
IM08BH162J
Vishay Dale
IM08BH182J
Vishay Dale
IM08BH202J
Vishay Dale
IM08BH222J
Vishay Dale
IM08BH222K
Vishay Dale
IM08BH242J
Vishay Dale
IM08BH272J
Vishay Dale
ICE40HX640-VQ100
Lattice Semiconductor Corporation
XCS10XL-4VQ100C
Xilinx Inc.
AGLN060V5-VQ100I
Microsemi Corporation
EP1M350F780C5
Intel
5SGXMA5N1F45C1N
Intel
EP4SE820H40C4N
Intel
AX1000-FG676
Microsemi Corporation
EP2AGX190EF29C5N
Intel
EPF10K50VBC356-4
Intel
EP3C40F324C8N
Intel