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Herstellerteilenummer | IMS02EB3R3K |
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Zukünftige Teilenummer | FT-IMS02EB3R3K |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | IMS-2 |
IMS02EB3R3K Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Obsolete |
Art | Molded |
Material - Kern | Iron |
Induktivität | 3.3µH |
Toleranz | ±10% |
Aktuelle Bewertung | 185mA |
Strom - Sättigung | - |
Abschirmung | Shielded |
Gleichstromwiderstand (DCR) | 1.3 Ohm Max |
Q @ Freq | 49 @ 7.9MHz |
Frequenz - Eigenresonanz | 80MHz |
Bewertungen | - |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 105°C |
Induktivitätsfrequenz - Test | 7.9MHz |
Eigenschaften | - |
Befestigungsart | Through Hole |
Paket / fall | Axial |
Supplier Device Package | Axial |
Größe / Abmessung | 0.095" Dia x 0.250" L (2.41mm x 6.35mm) |
Höhe - sitzend (max.) | - |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IMS02EB3R3K Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | IMS02EB3R3K-FT |
IM10BH502K
Vishay Dale
IM10BH562J
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IM10BH682J
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IM10EZ472J
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XC3S500E-4VQG100I
Xilinx Inc.
A54SX32A-2TQG176I
Microsemi Corporation
M2GL025T-1FGG484
Microsemi Corporation
10AX032E3F29I2SG
Intel
EP4CGX22BF14C8N
Intel
EP4SE530H40I3N
Intel
5SGXEA4H2F35I2N
Intel
A40MX02-1PQ100M
Microsemi Corporation
LFEC10E-4F256I
Lattice Semiconductor Corporation
EP2SGX130GF40C4NES
Intel