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Herstellerteilenummer | IMS02WWDBH1R8K40 |
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Zukünftige Teilenummer | FT-IMS02WWDBH1R8K40 |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | IMS-2WWD-40 |
IMS02WWDBH1R8K40 Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Obsolete |
Art | Wirewound |
Material - Kern | Iron |
Induktivität | 1.8µH |
Toleranz | ±10% |
Aktuelle Bewertung | 1.08A |
Strom - Sättigung | 1.08A |
Abschirmung | Shielded |
Gleichstromwiderstand (DCR) | 285 mOhm Max |
Q @ Freq | 38 @ 7.9MHz |
Frequenz - Eigenresonanz | 103MHz |
Bewertungen | - |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 125°C |
Induktivitätsfrequenz - Test | 7.9MHz |
Eigenschaften | - |
Befestigungsart | Through Hole |
Paket / fall | Axial |
Supplier Device Package | Axial |
Größe / Abmessung | 0.133" Dia x 0.335" L (3.38mm x 8.51mm) |
Höhe - sitzend (max.) | - |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IMS02WWDBH1R8K40 Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | IMS02WWDBH1R8K40-FT |
IMS02EBR12K
Vishay Dale
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IMS02EBR18K
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IMS02EBR22K
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IMS02EBR68K
Vishay Dale
EP1C6T144C7N
Intel
XA6SLX75-3FGG484Q
Xilinx Inc.
XC6SLX75-2FGG484I
Xilinx Inc.
M1AGLE3000V2-FG484
Microsemi Corporation
A54SX32A-PQ208M
Microsemi Corporation
5SGXMA7K2F40C1
Intel
XC7K160T-2FF676C
Xilinx Inc.
10AX115N2F45E1SG
Intel
EP2AGX125EF35C6
Intel
EP2AGZ350FF35I3N
Intel