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Herstellerteilenummer | IMS02WWDBH2R7K40 |
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Zukünftige Teilenummer | FT-IMS02WWDBH2R7K40 |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | IMS-2WWD-40 |
IMS02WWDBH2R7K40 Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Obsolete |
Art | Wirewound |
Material - Kern | Iron |
Induktivität | 2.7µH |
Toleranz | ±10% |
Aktuelle Bewertung | 935mA |
Strom - Sättigung | 935mA |
Abschirmung | Shielded |
Gleichstromwiderstand (DCR) | 381 mOhm Max |
Q @ Freq | 38 @ 7.9MHz |
Frequenz - Eigenresonanz | 85MHz |
Bewertungen | - |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 125°C |
Induktivitätsfrequenz - Test | 7.9MHz |
Eigenschaften | - |
Befestigungsart | Through Hole |
Paket / fall | Axial |
Supplier Device Package | Axial |
Größe / Abmessung | 0.133" Dia x 0.335" L (3.38mm x 8.51mm) |
Höhe - sitzend (max.) | - |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IMS02WWDBH2R7K40 Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | IMS02WWDBH2R7K40-FT |
IMS02EBR33K
Vishay Dale
IMS02EBR39K
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ICE40HX640-VQ100
Lattice Semiconductor Corporation
XCS10XL-4VQ100C
Xilinx Inc.
AGLN060V5-VQ100I
Microsemi Corporation
EP1M350F780C5
Intel
5SGXMA5N1F45C1N
Intel
EP4SE820H40C4N
Intel
AX1000-FG676
Microsemi Corporation
EP2AGX190EF29C5N
Intel
EPF10K50VBC356-4
Intel
EP3C40F324C8N
Intel