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Herstellerteilenummer | IMS02WWDBH4R7K40 |
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Zukünftige Teilenummer | FT-IMS02WWDBH4R7K40 |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | IMS-2WWD-40 |
IMS02WWDBH4R7K40 Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Obsolete |
Art | Wirewound |
Material - Kern | Iron |
Induktivität | 4.7µH |
Toleranz | ±10% |
Aktuelle Bewertung | 650mA |
Strom - Sättigung | 650mA |
Abschirmung | Shielded |
Gleichstromwiderstand (DCR) | 787 mOhm Max |
Q @ Freq | 42 @ 7.9MHz |
Frequenz - Eigenresonanz | 66MHz |
Bewertungen | - |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 125°C |
Induktivitätsfrequenz - Test | 7.9MHz |
Eigenschaften | - |
Befestigungsart | Through Hole |
Paket / fall | Axial |
Supplier Device Package | Axial |
Größe / Abmessung | 0.133" Dia x 0.335" L (3.38mm x 8.51mm) |
Höhe - sitzend (max.) | - |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IMS02WWDBH4R7K40 Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | IMS02WWDBH4R7K40-FT |
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Microsemi Corporation
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Lattice Semiconductor Corporation
EP20K200CF672C8
Intel
XC7K410T-1FFG676C
Xilinx Inc.
LFXP3C-4Q208I
Lattice Semiconductor Corporation
LFXP15E-4FN256I
Lattice Semiconductor Corporation
EP4SE230F29C3N
Intel
EP1S10F780I6
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