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Herstellerteilenummer | IMS02WWDBH8R2K40 |
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Zukünftige Teilenummer | FT-IMS02WWDBH8R2K40 |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | IMS-2WWD-40 |
IMS02WWDBH8R2K40 Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Obsolete |
Art | Wirewound |
Material - Kern | Iron |
Induktivität | 8.2µH |
Toleranz | ±10% |
Aktuelle Bewertung | 440mA |
Strom - Sättigung | 440mA |
Abschirmung | Shielded |
Gleichstromwiderstand (DCR) | 1.68 Ohm Max |
Q @ Freq | 47 @ 7.9MHz |
Frequenz - Eigenresonanz | 50MHz |
Bewertungen | - |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 125°C |
Induktivitätsfrequenz - Test | 7.9MHz |
Eigenschaften | - |
Befestigungsart | Through Hole |
Paket / fall | Axial |
Supplier Device Package | Axial |
Größe / Abmessung | 0.133" Dia x 0.335" L (3.38mm x 8.51mm) |
Höhe - sitzend (max.) | - |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IMS02WWDBH8R2K40 Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | IMS02WWDBH8R2K40-FT |
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XC3S1200E-4FT256C
Xilinx Inc.
XC7S100-2FGGA676C
Xilinx Inc.
A3P400-2FGG484
Microsemi Corporation
A42MX16-PQ208A
Microsemi Corporation
ICE65L04F-TVQ100C
Lattice Semiconductor Corporation
EP4CGX110DF27I7
Intel
EP1K10FC256-1N
Intel
A42MX16-3PQ160
Microsemi Corporation
LCMXO2280E-3FTN324I
Lattice Semiconductor Corporation
5CEFA5M13C8N
Intel