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Herstellerteilenummer | IMS02WWDEB100K40 |
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Zukünftige Teilenummer | FT-IMS02WWDEB100K40 |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | IMS-2WWD-40 |
IMS02WWDEB100K40 Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Obsolete |
Art | Wirewound |
Material - Kern | Iron |
Induktivität | 10µH |
Toleranz | ±10% |
Aktuelle Bewertung | 355mA |
Strom - Sättigung | 355mA |
Abschirmung | Shielded |
Gleichstromwiderstand (DCR) | 2.58 Ohm Max |
Q @ Freq | 51 @ 7.9MHz |
Frequenz - Eigenresonanz | 44MHz |
Bewertungen | - |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 125°C |
Induktivitätsfrequenz - Test | 7.9MHz |
Eigenschaften | - |
Befestigungsart | Through Hole |
Paket / fall | Axial |
Supplier Device Package | Axial |
Größe / Abmessung | 0.133" Dia x 0.335" L (3.38mm x 8.51mm) |
Höhe - sitzend (max.) | - |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IMS02WWDEB100K40 Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | IMS02WWDEB100K40-FT |
IMS02RU1R8J
Vishay Dale
IMS02RU270J
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IMS02RU680K
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XC6SLX150-3FGG900I
Xilinx Inc.
XC2S200-6PQG208C
Xilinx Inc.
M2GL025T-1FCSG325
Microsemi Corporation
EP3C16F484C7
Intel
5SGSMD4K2F40I3L
Intel
EP1M350F780I6N
Intel
LCMXO3LF-9400E-6BG256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP2S90F780C4N
Intel
EPF6016QC240-3N
Intel
5SGSMD3H1F35C1N
Intel