Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays / IMZ4T108
Herstellerteilenummer | IMZ4T108 |
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Zukünftige Teilenummer | FT-IMZ4T108 |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
IMZ4T108 Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Not For New Designs |
Transistortyp | NPN, PNP |
Stromabnehmer (Ic) (max.) | 500mA |
Spannung - Durchschlag Kollektoremitter (max.) | 32V |
Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic | 600mV @ 50mA, 500mA / 600mV @ 30mA, 300mA |
Strom - Kollektorabschaltung (max.) | 100nA (ICBO) |
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) bei Ic, Vce | 120 @ 100mA, 3V |
Leistung max | 300mW |
Frequenz - Übergang | 250MHz, 200MHz |
Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / fall | SC-74, SOT-457 |
Supplier Device Package | SMT6 |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IMZ4T108 Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | IMZ4T108-FT |
DMC206E20R
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XN0460200L
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M1A3P600-FG256I
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A3P125-2VQG100
Microsemi Corporation
EP2C20F484C7N
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10CL016ZE144I8G
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5SGSED8N3F45I4N
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XC4013XL-3BG256C
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LFE3-150EA-6LFN1156I
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EP3C40F324C7
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EP4SGX230HF35I4
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5SGSMD3H2F35I3LN
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