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Infineon Technologies IPA093N06N3GXKSA1

Name: IPA093N06N3GXKSA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: IPA093N06N3GXKSA1
Price: 0.976 USD
Availability: InStock
Rating: 5.0 (267 reviews)

MFG-Teilenummer: IPA093N06N3GXKSA1

verfügbare Anzahl: 28080 Stücke

Referenzpreis: USD 0.976

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Hersteller: Infineon Technologies

Kurze Beschreibung: OptiMOS™ MOSFET N-CH 60V 43A TO220-3-31

Bleifreier Status / RoHS-Status: RoHS-konform (bleifrei)

Feuchtigkeitsempfindlichkeitsgrad (MSL): 1 (unbegrenzt)

Datumscode (D / C): Neu

Produktkategorie: Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln

Lagerressource: Franchise-Händler

Garantie: 360 Tage Qualitätsgarantie

Datenblatt: IPA093N06N3GXKSA1.pdf

IPA093N06N3GXKSA1 Spezifikationen

Herstellerteilenummer	IPA093N06N3GXKSA1
Zukünftige Teilenummer	FT-IPA093N06N3GXKSA1
SPQ / MOQ	kontaktiere uns
Verpackungsmaterial	Reel/Tray/Tube/Others
Serie	OptiMOS™
IPA093N06N3GXKSA1 Status (Lebenszyklus)	Auf Lager
Teilestatus	Active
FET-Typ	N-Channel
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	60V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C	43A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	9.3 mOhm @ 40A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 34µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs	48nC @ 10V
Vgs (Max)	±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds	3900pF @ 30V
FET-Funktion	-
Verlustleistung (max.)	33W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart	Through Hole
Supplier Device Package	PG-TO220-3-31 Full Pack
Paket / fall	TO-220-3 Full Pack
Herkunftsland	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
IPA093N06N3GXKSA1 Gewicht	kontaktiere uns
Ersatzteilnummer	IPA093N06N3GXKSA1-FT

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