Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln / IPA60R080P7XKSA1
Herstellerteilenummer | IPA60R080P7XKSA1 |
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Zukünftige Teilenummer | FT-IPA60R080P7XKSA1 |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | CoolMOS™ P7 |
IPA60R080P7XKSA1 Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
FET-Typ | N-Channel |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 600V |
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C | 37A (Tc) |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 80 mOhm @ 11.8A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 590µA |
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs | 51nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 2180pF @ 400V |
FET-Funktion | - |
Verlustleistung (max.) | 29W (Tc) |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Through Hole |
Supplier Device Package | PG-TO220 Full Pack |
Paket / fall | TO-220-3 Full Pack |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IPA60R080P7XKSA1 Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | IPA60R080P7XKSA1-FT |
BSP297H6327XTSA1
Infineon Technologies
BSP297L6327HTSA1
Infineon Technologies
BSP298 E6327
Infineon Technologies
BSP298L6327HUSA1
Infineon Technologies
BSP299 E6327
Infineon Technologies
BSP299L6327HUSA1
Infineon Technologies
BSP300 E6327
Infineon Technologies
BSP300L6327HUSA1
Infineon Technologies
BSP315P-E6327
Infineon Technologies
BSP315PE6327T
Infineon Technologies
XC6SLX45-3FG676C
Xilinx Inc.
XC4005L-5PQ208C
Xilinx Inc.
XC2VP2-7FG456C
Xilinx Inc.
A42MX16-2PQ208I
Microsemi Corporation
A42MX16-PQ208M
Microsemi Corporation
LCMXO3LF-9400C-5BG484C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE5UM5G-45F-8BG381C
Lattice Semiconductor Corporation
5SGSED6K3F40C2N
Intel
LFEC1E-4Q208C
Lattice Semiconductor Corporation
EP3C40F780C6N
Intel