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Infineon Technologies IPA60R199CPXKSA1
- MFG-Teilenummer
- IPA60R199CPXKSA1
- verfügbare Anzahl
- 60180 Stücke
- Referenzpreis
- USD 3.392
- Unser Preis
- Wir haben einen großen Rabatt, bitte kontaktieren Sie uns
- Versanddatum
- Wir können heute ausliefern
- Hersteller
- Infineon Technologies
- Kurze Beschreibung
- CoolMOS™ MOSFET N-CH 650V 16A TO220-3
- Bleifreier Status / RoHS-Status
- RoHS-konform (bleifrei)
- Feuchtigkeitsempfindlichkeitsgrad (MSL)
- 1 (unbegrenzt)
- Datumscode (D / C)
- Neu
- Produktkategorie
- Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln
- Lagerressource
- Franchise-Händler
- Garantie
- 360 Tage Qualitätsgarantie
- Datenblatt
- IPA60R199CPXKSA1.pdf
IPA60R199CPXKSA1 Spezifikationen
| Herstellerteilenummer | IPA60R199CPXKSA1 |
|---|---|
| Zukünftige Teilenummer | FT-IPA60R199CPXKSA1 |
| SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
| Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
| Serie | CoolMOS™ |
| IPA60R199CPXKSA1 Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
| Teilestatus | Not For New Designs |
| FET-Typ | N-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 650V |
| Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C | 16A (Tc) |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 199 mOhm @ 9.9A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 3.5V @ 1.1mA |
| Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs | 43nC @ 10V |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 1520pF @ 100V |
| FET-Funktion | - |
| Verlustleistung (max.) | 34W (Tc) |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart | Through Hole |
| Supplier Device Package | PG-TO220-FP |
| Paket / fall | TO-220-3 Full Pack |
| Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
| IPA60R199CPXKSA1 Gewicht | kontaktiere uns |
| Ersatzteilnummer | IPA60R199CPXKSA1-FT |
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