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Infineon Technologies IPA65R190E6XKSA1

Name: IPA65R190E6XKSA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: IPA65R190E6XKSA1
Price: 1.660048 USD
Availability: InStock
Rating: 4.5 (726 reviews)

MFG-Teilenummer: IPA65R190E6XKSA1

verfügbare Anzahl: 73880 Stücke

Referenzpreis: USD 1.660048

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Hersteller: Infineon Technologies

Kurze Beschreibung: CoolMOS™ MOSFET N-CH 650V 20.2A TO220

Bleifreier Status / RoHS-Status: RoHS-konform (bleifrei)

Feuchtigkeitsempfindlichkeitsgrad (MSL): 1 (unbegrenzt)

Datumscode (D / C): Neu

Produktkategorie: Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln

Lagerressource: Franchise-Händler

Garantie: 360 Tage Qualitätsgarantie

Datenblatt: IPA65R190E6XKSA1.pdf

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IPA65R190E6XKSA1 Spezifikationen

Herstellerteilenummer	IPA65R190E6XKSA1
Zukünftige Teilenummer	FT-IPA65R190E6XKSA1
SPQ / MOQ	kontaktiere uns
Verpackungsmaterial	Reel/Tray/Tube/Others
Serie	CoolMOS™
IPA65R190E6XKSA1 Status (Lebenszyklus)	Auf Lager
Teilestatus	Not For New Designs
FET-Typ	N-Channel
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	650V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C	20.2A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	190 mOhm @ 7.3A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	3.5V @ 730µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs	73nC @ 10V
Vgs (Max)	±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds	1620pF @ 100V
FET-Funktion	-
Verlustleistung (max.)	34W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart	Through Hole
Supplier Device Package	PG-TO220 Full Pack
Paket / fall	TO-220-3 Full Pack
Herkunftsland	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
IPA65R190E6XKSA1 Gewicht	kontaktiere uns
Ersatzteilnummer	IPA65R190E6XKSA1-FT

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