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Infineon Technologies IPA80R1K4P7XKSA1

Name: IPA80R1K4P7XKSA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: IPA80R1K4P7XKSA1
Price: 1.216 USD
Availability: InStock
Rating: 4.6 (337 reviews)

MFG-Teilenummer: IPA80R1K4P7XKSA1

verfügbare Anzahl: 81800 Stücke

Referenzpreis: USD 1.216

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Hersteller: Infineon Technologies

Kurze Beschreibung: CoolMOS™ MOSFET N-CH 800V 4A TO220

Bleifreier Status / RoHS-Status: RoHS-konform (bleifrei)

Feuchtigkeitsempfindlichkeitsgrad (MSL): 1 (unbegrenzt)

Datumscode (D / C): Neu

Produktkategorie: Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln

Lagerressource: Franchise-Händler

Garantie: 360 Tage Qualitätsgarantie

Datenblatt: IPA80R1K4P7XKSA1.pdf

IPA80R1K4P7XKSA1 Spezifikationen

Herstellerteilenummer	IPA80R1K4P7XKSA1
Zukünftige Teilenummer	FT-IPA80R1K4P7XKSA1
SPQ / MOQ	kontaktiere uns
Verpackungsmaterial	Reel/Tray/Tube/Others
Serie	CoolMOS™
IPA80R1K4P7XKSA1 Status (Lebenszyklus)	Auf Lager
Teilestatus	Active
FET-Typ	N-Channel
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	800V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C	4A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	1.4 Ohm @ 1.4A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	3.5V @ 700µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs	10nC @ 10V
Vgs (Max)	±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds	250pF @ 500V
FET-Funktion	Super Junction
Verlustleistung (max.)	24W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart	Through Hole
Supplier Device Package	TO-220-3F
Paket / fall	TO-220-3 Full Pack
Herkunftsland	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
IPA80R1K4P7XKSA1 Gewicht	kontaktiere uns
Ersatzteilnummer	IPA80R1K4P7XKSA1-FT

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