Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln / IPA80R650CEXKSA1
Herstellerteilenummer | IPA80R650CEXKSA1 |
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Zukünftige Teilenummer | FT-IPA80R650CEXKSA1 |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | CoolMOS™ CE |
IPA80R650CEXKSA1 Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Discontinued at Future Semiconductor |
FET-Typ | N-Channel |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 800V |
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C | 4.5A (Tc) |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 650 mOhm @ 5.1A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3.9V @ 470µA |
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs | 45nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 1100pF @ 100V |
FET-Funktion | - |
Verlustleistung (max.) | 33W (Tc) |
Betriebstemperatur | -40°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Through Hole |
Supplier Device Package | PG-TO220 Full Pack |
Paket / fall | TO-220-3 Full Pack |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IPA80R650CEXKSA1 Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | IPA80R650CEXKSA1-FT |
IPA50R280CEXKSA2
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IPA083N10N5XKSA1
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M7A3P1000-1FGG256I
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