Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln / IPAW60R600CEXKSA1
Herstellerteilenummer | IPAW60R600CEXKSA1 |
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Zukünftige Teilenummer | FT-IPAW60R600CEXKSA1 |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | CoolMOS™ |
IPAW60R600CEXKSA1 Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
FET-Typ | N-Channel |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 600V |
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C | 10.3A (Tc) |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 600 mOhm @ 2.4A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3.5V @ 200µA |
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs | 20.5nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 444pF @ 100V |
FET-Funktion | Super Junction |
Verlustleistung (max.) | 28W (Tc) |
Betriebstemperatur | -40°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Through Hole |
Supplier Device Package | PG-TO220 Full Pack |
Paket / fall | TO-220-3 Full Pack |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IPAW60R600CEXKSA1 Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | IPAW60R600CEXKSA1-FT |
BSP298 E6327
Infineon Technologies
BSP298L6327HUSA1
Infineon Technologies
BSP299 E6327
Infineon Technologies
BSP299L6327HUSA1
Infineon Technologies
BSP300 E6327
Infineon Technologies
BSP300L6327HUSA1
Infineon Technologies
BSP315P-E6327
Infineon Technologies
BSP315PE6327T
Infineon Technologies
BSP315PH6327XTSA1
Infineon Technologies
BSP315PL6327HTSA1
Infineon Technologies
LCMXO2-7000HE-6TG144I
Lattice Semiconductor Corporation
XC6SLX25-N3FGG484I
Xilinx Inc.
M2GL090T-FG484
Microsemi Corporation
M7A3P1000-PQ208
Microsemi Corporation
5SGXEB5R3F43C3N
Intel
XC4VFX40-10FF1152I
Xilinx Inc.
A40MX04-1PLG84M
Microsemi Corporation
A42MX16-2PL84I
Microsemi Corporation
LFXP2-30E-7FN484C
Lattice Semiconductor Corporation
5CGXFC4C6U19I7N
Intel