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Infineon Technologies IPB009N03LGATMA1

MFG-Teilenummer
IPB009N03LGATMA1
verfügbare Anzahl
19880 Stücke
Referenzpreis
USD 1.545544
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Versanddatum
Wir können heute ausliefern
Hersteller
Infineon Technologies
Kurze Beschreibung
OptiMOS™ MOSFET N-CH 30V 180A TO263-7
Bleifreier Status / RoHS-Status
RoHS-konform (bleifrei)
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsgrad (MSL)
1 (unbegrenzt)
Datumscode (D / C)
Neu
Produktkategorie
Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln
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Garantie
360 Tage Qualitätsgarantie
Datenblatt
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IPB009N03LGATMA1 Spezifikationen

Herstellerteilenummer IPB009N03LGATMA1
Zukünftige Teilenummer FT-IPB009N03LGATMA1
SPQ / MOQ kontaktiere uns
Verpackungsmaterial Reel/Tray/Tube/Others
Serie OptiMOS™
IPB009N03LGATMA1 Status (Lebenszyklus) Auf Lager
Teilestatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C 180A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 0.95 mOhm @ 100A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 2.2V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs 227nC @ 10V
Vgs (Max) ±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 25000pF @ 15V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 250W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount
Supplier Device Package PG-TO263-7-3
Paket / fall TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)
Herkunftsland USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
IPB009N03LGATMA1 Gewicht kontaktiere uns
Ersatzteilnummer IPB009N03LGATMA1-FT

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