Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln / IPB017N06N3GATMA1
Herstellerteilenummer | IPB017N06N3GATMA1 |
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Zukünftige Teilenummer | FT-IPB017N06N3GATMA1 |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | OptiMOS™ |
IPB017N06N3GATMA1 Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
FET-Typ | N-Channel |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 60V |
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C | 180A (Tc) |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.7 mOhm @ 100A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 196µA |
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs | 275nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 23000pF @ 30V |
FET-Funktion | - |
Verlustleistung (max.) | 250W (Tc) |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Supplier Device Package | PG-TO263-7 |
Paket / fall | TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab) |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IPB017N06N3GATMA1 Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | IPB017N06N3GATMA1-FT |
IRFB4233PBF
Infineon Technologies
IRFB42N20D
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IRFB7434GPBF
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XC3S400-4TQG144C
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XC2V1500-4FGG676I
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10M08SAU169A7G
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5SGXEB5R3F43C3N
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A42MX24-1TQG176
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