Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln / IPB017N08N5ATMA1
Herstellerteilenummer | IPB017N08N5ATMA1 |
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Zukünftige Teilenummer | FT-IPB017N08N5ATMA1 |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | OptiMOS™ |
IPB017N08N5ATMA1 Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
FET-Typ | N-Channel |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 80V |
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C | 120A (Tc) |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 6V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.7 mOhm @ 100A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3.8V @ 280µA |
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs | 223nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 16900pF @ 40V |
FET-Funktion | - |
Verlustleistung (max.) | 375W (Tc) |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Supplier Device Package | D²PAK (TO-263AB) |
Paket / fall | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IPB017N08N5ATMA1 Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | IPB017N08N5ATMA1-FT |
BUK7C2R2-60EJ
NXP USA Inc.
BUK7C3R1-80EJ
NXP USA Inc.
BUK7C3R8-80EJ
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BUK7C4R5-100EJ
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BUK7C5R4-100EJ
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BUK9C1R3-40EJ
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BUK9C2R2-60EJ
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BUK9C3R8-80EJ
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BUK9C5R3-100EJ
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IRF1324S-7PPBF
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M2GL025T-1VFG256I
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EPF10K10ATC100-1
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EPF10K130EFC484-1N
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5SGSED6K2F40I3L
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5SGSMD8K2F40I2LN
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5SGXEA3K3F35C2N
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XC6VLX240T-L1FFG1759I
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XC4VLX60-12FFG1148C
Xilinx Inc.
XC5VLX30-1FFG676C
Xilinx Inc.
EP20K100FI324-2XV
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