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Infineon Technologies IPB017N10N5LFATMA1

Name: IPB017N10N5LFATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: IPB017N10N5LFATMA1
Price: 3.395424 USD
Availability: InStock
Rating: 5.0 (343 reviews)

MFG-Teilenummer: IPB017N10N5LFATMA1

verfügbare Anzahl: 25120 Stücke

Referenzpreis: USD 3.395424

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Hersteller: Infineon Technologies

Kurze Beschreibung: OptiMOS™-5 MOSFET N-CH 100V D2PAK-7

Bleifreier Status / RoHS-Status: RoHS-konform (bleifrei)

Feuchtigkeitsempfindlichkeitsgrad (MSL): 1 (unbegrenzt)

Datumscode (D / C): Neu

Produktkategorie: Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln

Lagerressource: Franchise-Händler

Garantie: 360 Tage Qualitätsgarantie

Datenblatt: IPB017N10N5LFATMA1.pdf

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IPB017N10N5LFATMA1 Spezifikationen

Herstellerteilenummer	IPB017N10N5LFATMA1
Zukünftige Teilenummer	FT-IPB017N10N5LFATMA1
SPQ / MOQ	kontaktiere uns
Verpackungsmaterial	Reel/Tray/Tube/Others
Serie	OptiMOS™-5
IPB017N10N5LFATMA1 Status (Lebenszyklus)	Auf Lager
Teilestatus	Active
FET-Typ	N-Channel
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	100V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C	180A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	1.7 mOhm @ 100A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4.1V @ 270µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs	195nC @ 10V
Vgs (Max)	±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds	840pF @ 50V
FET-Funktion	-
Verlustleistung (max.)	313W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart	Surface Mount
Supplier Device Package	PG-TO263-7
Paket / fall	TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)
Herkunftsland	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
IPB017N10N5LFATMA1 Gewicht	kontaktiere uns
Ersatzteilnummer	IPB017N10N5LFATMA1-FT

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