Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln / IPB019N06L3GATMA1
Herstellerteilenummer | IPB019N06L3GATMA1 |
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Zukünftige Teilenummer | FT-IPB019N06L3GATMA1 |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | OptiMOS™ |
IPB019N06L3GATMA1 Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
FET-Typ | N-Channel |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 60V |
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C | 120A (Tc) |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.9 mOhm @ 100A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.2V @ 196µA |
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs | 166nC @ 4.5V |
Vgs (Max) | ±20V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 28000pF @ 30V |
FET-Funktion | - |
Verlustleistung (max.) | 250W (Tc) |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Supplier Device Package | D²PAK (TO-263AB) |
Paket / fall | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IPB019N06L3GATMA1 Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | IPB019N06L3GATMA1-FT |
BUK7C3R1-80EJ
NXP USA Inc.
BUK7C3R8-80EJ
NXP USA Inc.
BUK7C4R5-100EJ
NXP USA Inc.
BUK7C5R4-100EJ
NXP USA Inc.
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NXP USA Inc.
BUK9C3R8-80EJ
NXP USA Inc.
BUK9C5R3-100EJ
NXP USA Inc.
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Infineon Technologies
IRF1324STRL-7PP
Infineon Technologies
A1010B-2VQ80I
Microsemi Corporation
EPF10K30ATC144-1
Intel
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Xilinx Inc.
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Microsemi Corporation
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Microsemi Corporation
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Lattice Semiconductor Corporation
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Intel
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Intel