Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln / IPB020NE7N3GATMA1
Herstellerteilenummer | IPB020NE7N3GATMA1 |
---|---|
Zukünftige Teilenummer | FT-IPB020NE7N3GATMA1 |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | OptiMOS™ |
IPB020NE7N3GATMA1 Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
FET-Typ | N-Channel |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 75V |
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C | 120A (Tc) |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2 mOhm @ 100A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3.8V @ 273µA |
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs | 206nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 14400pF @ 37.5V |
FET-Funktion | - |
Verlustleistung (max.) | 300W (Tc) |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Supplier Device Package | D²PAK (TO-263AB) |
Paket / fall | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IPB020NE7N3GATMA1 Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | IPB020NE7N3GATMA1-FT |
94-2310
Infineon Technologies
94-2386
Infineon Technologies
94-2989
Infineon Technologies
94-4582
Infineon Technologies
94-4796
Infineon Technologies
AUIRF1010EZS
Infineon Technologies
AUIRF1010EZSTRL
Infineon Technologies
AUIRF1010ZS
Infineon Technologies
AUIRF1018ES
Infineon Technologies
AUIRF1324S
Infineon Technologies
XC3S400-4TQG144C
Xilinx Inc.
XC2V1500-4FGG676I
Xilinx Inc.
APA450-BGG456
Microsemi Corporation
AGLN030V2-ZVQG100I
Microsemi Corporation
10M08SAU169A7G
Intel
5SGXEB5R3F43C3N
Intel
A42MX24-1TQG176
Microsemi Corporation
APA150-FGG144A
Microsemi Corporation
EP4SGX230DF29C3NES
Intel
EP20K1000CF33C7N
Intel