Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln / IPB022N04LGATMA1
Herstellerteilenummer | IPB022N04LGATMA1 |
---|---|
Zukünftige Teilenummer | FT-IPB022N04LGATMA1 |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | OptiMOS™ |
IPB022N04LGATMA1 Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Obsolete |
FET-Typ | N-Channel |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 40V |
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C | 90A (Tc) |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.2 mOhm @ 90A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2V @ 95µA |
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs | 166nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 13000pF @ 20V |
FET-Funktion | - |
Verlustleistung (max.) | 167W (Tc) |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Supplier Device Package | D²PAK (TO-263AB) |
Paket / fall | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IPB022N04LGATMA1 Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | IPB022N04LGATMA1-FT |
94-2989
Infineon Technologies
94-4582
Infineon Technologies
94-4796
Infineon Technologies
AUIRF1010EZS
Infineon Technologies
AUIRF1010EZSTRL
Infineon Technologies
AUIRF1010ZS
Infineon Technologies
AUIRF1018ES
Infineon Technologies
AUIRF1324S
Infineon Technologies
AUIRF1324STRL
Infineon Technologies
AUIRF1324STRL7P
Infineon Technologies
XA6SLX45-3FGG484Q
Xilinx Inc.
A42MX36-2BGG272I
Microsemi Corporation
M2GL090-FGG484
Microsemi Corporation
MPF300T-1FCG1152E
Microsemi Corporation
LCMXO1200E-4FT256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SL200F1517C2N
Intel
5SGXMA3K2F35I3N
Intel
XC5VSX50T-1FFG665C
Xilinx Inc.
LFE3-95E-7FN1156C
Lattice Semiconductor Corporation
MPM7128SQC100AC
Intel