Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln / IPB023N04NGATMA1
Herstellerteilenummer | IPB023N04NGATMA1 |
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Zukünftige Teilenummer | FT-IPB023N04NGATMA1 |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | OptiMOS™ |
IPB023N04NGATMA1 Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Obsolete |
FET-Typ | N-Channel |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 40V |
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C | 90A (Tc) |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.3 mOhm @ 90A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 95µA |
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs | 120nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 10000pF @ 20V |
FET-Funktion | - |
Verlustleistung (max.) | 167W (Tc) |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Supplier Device Package | D²PAK (TO-263AB) |
Paket / fall | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IPB023N04NGATMA1 Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | IPB023N04NGATMA1-FT |
94-4582
Infineon Technologies
94-4796
Infineon Technologies
AUIRF1010EZS
Infineon Technologies
AUIRF1010EZSTRL
Infineon Technologies
AUIRF1010ZS
Infineon Technologies
AUIRF1018ES
Infineon Technologies
AUIRF1324S
Infineon Technologies
AUIRF1324STRL
Infineon Technologies
AUIRF1324STRL7P
Infineon Technologies
AUIRF1404S
Infineon Technologies
XC4005E-2TQ144I
Xilinx Inc.
M1A3P400-2PQ208
Microsemi Corporation
M2GL050-VFG400I
Microsemi Corporation
5SGSMD4K2F40I3LN
Intel
5SGXMABN2F45I3N
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Intel
EP3SE260F1152I4N
Intel
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LCMXO2-4000HC-6FTG256C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-95E-8FN672I
Lattice Semiconductor Corporation