Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln / IPB023N06N3GATMA1
Herstellerteilenummer | IPB023N06N3GATMA1 |
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Zukünftige Teilenummer | FT-IPB023N06N3GATMA1 |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | OptiMOS™ |
IPB023N06N3GATMA1 Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Obsolete |
FET-Typ | N-Channel |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 60V |
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C | 140A (Tc) |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.3 mOhm @ 100A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 141µA |
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs | 198nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 16000pF @ 30V |
FET-Funktion | - |
Verlustleistung (max.) | 214W (Tc) |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Supplier Device Package | PG-TO263-7 |
Paket / fall | TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab) |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IPB023N06N3GATMA1 Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | IPB023N06N3GATMA1-FT |
IRFB4310ZGPBF
Infineon Technologies
IRFB4321GPBF
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IRFB4410
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IRFB7734PBF
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