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Infineon Technologies IPB025N10N3GE8187ATMA1

Name: IPB025N10N3GE8187ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: IPB025N10N3GE8187ATMA1
Price: 2.61172 USD
Availability: InStock
Rating: 4.9 (139 reviews)

MFG-Teilenummer: IPB025N10N3GE8187ATMA1

verfügbare Anzahl: 64980 Stücke

Referenzpreis: USD 2.61172

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Hersteller: Infineon Technologies

Kurze Beschreibung: OptiMOS™ MOSFET N-CH 100V 180A TO263-7

Bleifreier Status / RoHS-Status: RoHS-konform (bleifrei)

Feuchtigkeitsempfindlichkeitsgrad (MSL): 1 (unbegrenzt)

Datumscode (D / C): Neu

Produktkategorie: Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln

Lagerressource: Franchise-Händler

Garantie: 360 Tage Qualitätsgarantie

Datenblatt: IPB025N10N3GE8187ATMA1.pdf

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IPB025N10N3GE8187ATMA1 Spezifikationen

Herstellerteilenummer	IPB025N10N3GE8187ATMA1
Zukünftige Teilenummer	FT-IPB025N10N3GE8187ATMA1
SPQ / MOQ	kontaktiere uns
Verpackungsmaterial	Reel/Tray/Tube/Others
Serie	OptiMOS™
IPB025N10N3GE8187ATMA1 Status (Lebenszyklus)	Auf Lager
Teilestatus	Not For New Designs
FET-Typ	N-Channel
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	100V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C	180A
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	2.5 mOhm @ 100A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	3.5V @ 275µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs	206nC @ 10V
Vgs (Max)	±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds	14800pF @ 50V
FET-Funktion	-
Verlustleistung (max.)	300W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart	Surface Mount
Supplier Device Package	PG-TO263-7
Paket / fall	TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)
Herkunftsland	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
IPB025N10N3GE8187ATMA1 Gewicht	kontaktiere uns
Ersatzteilnummer	IPB025N10N3GE8187ATMA1-FT

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