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Infineon Technologies IPB042N10N3GE8187ATMA1

Name: IPB042N10N3GE8187ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: IPB042N10N3GE8187ATMA1
Price: 1.210032 USD
Availability: InStock
Rating: 4.5 (760 reviews)

MFG-Teilenummer: IPB042N10N3GE8187ATMA1

verfügbare Anzahl: 44950 Stücke

Referenzpreis: USD 1.210032

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Hersteller: Infineon Technologies

Kurze Beschreibung: OptiMOS™ MOSFET N-CH 100V 100A TO263-3

Bleifreier Status / RoHS-Status: RoHS-konform (bleifrei)

Feuchtigkeitsempfindlichkeitsgrad (MSL): 1 (unbegrenzt)

Datumscode (D / C): Neu

Produktkategorie: Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln

Lagerressource: Franchise-Händler

Garantie: 360 Tage Qualitätsgarantie

Datenblatt: IPB042N10N3GE8187ATMA1.pdf

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IPB042N10N3GE8187ATMA1 Spezifikationen

Herstellerteilenummer	IPB042N10N3GE8187ATMA1
Zukünftige Teilenummer	FT-IPB042N10N3GE8187ATMA1
SPQ / MOQ	kontaktiere uns
Verpackungsmaterial	Reel/Tray/Tube/Others
Serie	OptiMOS™
IPB042N10N3GE8187ATMA1 Status (Lebenszyklus)	Auf Lager
Teilestatus	Active
FET-Typ	N-Channel
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	100V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C	100A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	4.2 mOhm @ 50A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	3.5V @ 150µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs	117nC @ 10V
Vgs (Max)	±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds	8410pF @ 50V
FET-Funktion	-
Verlustleistung (max.)	214W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart	Surface Mount
Supplier Device Package	D²PAK (TO-263AB)
Paket / fall	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Herkunftsland	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
IPB042N10N3GE8187ATMA1 Gewicht	kontaktiere uns
Ersatzteilnummer	IPB042N10N3GE8187ATMA1-FT

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