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Infineon Technologies IPB048N15N5LFATMA1

Name: IPB048N15N5LFATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: IPB048N15N5LFATMA1
Price: 3.716184 USD
Availability: InStock
Rating: 4.6 (309 reviews)

MFG-Teilenummer: IPB048N15N5LFATMA1

verfügbare Anzahl: 19970 Stücke

Referenzpreis: USD 3.716184

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Hersteller: Infineon Technologies

Kurze Beschreibung: OptiMOS™-5 MOSFET N-CH 150V 120A TO263-3

Bleifreier Status / RoHS-Status: RoHS-konform (bleifrei)

Feuchtigkeitsempfindlichkeitsgrad (MSL): 1 (unbegrenzt)

Datumscode (D / C): Neu

Produktkategorie: Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln

Lagerressource: Franchise-Händler

Garantie: 360 Tage Qualitätsgarantie

Datenblatt: IPB048N15N5LFATMA1.pdf

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IPB048N15N5LFATMA1 Spezifikationen

Herstellerteilenummer	IPB048N15N5LFATMA1
Zukünftige Teilenummer	FT-IPB048N15N5LFATMA1
SPQ / MOQ	kontaktiere uns
Verpackungsmaterial	Reel/Tray/Tube/Others
Serie	OptiMOS™-5
IPB048N15N5LFATMA1 Status (Lebenszyklus)	Auf Lager
Teilestatus	Active
FET-Typ	N-Channel
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	150V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C	120A
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	4.8 mOhm @ 100A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4.9V @ 255µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs	84nC @ 10V
Vgs (Max)	±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds	380pF @ 75V
FET-Funktion	-
Verlustleistung (max.)	313W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart	Surface Mount
Supplier Device Package	D²PAK (TO-263AB)
Paket / fall	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Herkunftsland	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
IPB048N15N5LFATMA1 Gewicht	kontaktiere uns
Ersatzteilnummer	IPB048N15N5LFATMA1-FT

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