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Infineon Technologies IPB049NE7N3GATMA1
- MFG-Teilenummer
- IPB049NE7N3GATMA1
- verfügbare Anzahl
- 75500 Stücke
- Referenzpreis
- USD 0.996936
- Unser Preis
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- Versanddatum
- Wir können heute ausliefern
- Hersteller
- Infineon Technologies
- Kurze Beschreibung
- OptiMOS™ MOSFET N-CH 75V 80A TO263-3
- Bleifreier Status / RoHS-Status
- RoHS-konform (bleifrei)
- Feuchtigkeitsempfindlichkeitsgrad (MSL)
- 1 (unbegrenzt)
- Datumscode (D / C)
- Neu
- Produktkategorie
- Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln
- Lagerressource
- Franchise-Händler
- Garantie
- 360 Tage Qualitätsgarantie
- Datenblatt
- IPB049NE7N3GATMA1.pdf
IPB049NE7N3GATMA1 Spezifikationen
| Herstellerteilenummer | IPB049NE7N3GATMA1 |
|---|---|
| Zukünftige Teilenummer | FT-IPB049NE7N3GATMA1 |
| SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
| Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
| Serie | OptiMOS™ |
| IPB049NE7N3GATMA1 Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
| Teilestatus | Active |
| FET-Typ | N-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 75V |
| Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C | 80A (Tc) |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4.9 mOhm @ 80A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 3.8V @ 91µA |
| Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs | 68nC @ 10V |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 4750pF @ 37.5V |
| FET-Funktion | - |
| Verlustleistung (max.) | 150W (Tc) |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Supplier Device Package | D²PAK (TO-263AB) |
| Paket / fall | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
| IPB049NE7N3GATMA1 Gewicht | kontaktiere uns |
| Ersatzteilnummer | IPB049NE7N3GATMA1-FT |
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