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Infineon Technologies IPB085N06L G

Name: IPB085N06L G
Brand: Infineon Technologies
SKU: IPB085N06L G
Availability: InStock
Rating: 4.9 (583 reviews)

MFG-Teilenummer: IPB085N06L G

verfügbare Anzahl: 19960 Stücke

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Hersteller: Infineon Technologies

Kurze Beschreibung: OptiMOS™ MOSFET N-CH 60V 80A TO-263

Bleifreier Status / RoHS-Status: RoHS-konform (bleifrei)

Feuchtigkeitsempfindlichkeitsgrad (MSL): 1 (unbegrenzt)

Datumscode (D / C): Neu

Produktkategorie: Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln

Lagerressource: Franchise-Händler

Garantie: 360 Tage Qualitätsgarantie

Datenblatt: IPB085N06L G.pdf

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IPB085N06L G Spezifikationen

Herstellerteilenummer	IPB085N06L G
Zukünftige Teilenummer	FT-IPB085N06L G
SPQ / MOQ	kontaktiere uns
Verpackungsmaterial	Reel/Tray/Tube/Others
Serie	OptiMOS™
IPB085N06L G Status (Lebenszyklus)	Auf Lager
Teilestatus	Obsolete
FET-Typ	N-Channel
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	60V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C	80A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	8.2 mOhm @ 80A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2V @ 125µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs	104nC @ 10V
Vgs (Max)	±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds	3500pF @ 30V
FET-Funktion	-
Verlustleistung (max.)	188W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart	Surface Mount
Supplier Device Package	PG-TO263-3-2
Paket / fall	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Herkunftsland	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
IPB085N06L G Gewicht	kontaktiere uns
Ersatzteilnummer	IPB085N06L G-FT

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