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Infineon Technologies IPB110N20N3LFATMA1

MFG-Teilenummer
IPB110N20N3LFATMA1
verfügbare Anzahl
88930 Stücke
Referenzpreis
USD 3.478824
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Versanddatum
Wir können heute ausliefern
Hersteller
Infineon Technologies
Kurze Beschreibung
OptiMOS™ 3 MOSFET N-CH 200 D2PAK-3
Bleifreier Status / RoHS-Status
RoHS-konform (bleifrei)
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsgrad (MSL)
1 (unbegrenzt)
Datumscode (D / C)
Neu
Produktkategorie
Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln
Lagerressource
Franchise-Händler
Garantie
360 Tage Qualitätsgarantie
Datenblatt
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IPB110N20N3LFATMA1 Spezifikationen

Herstellerteilenummer IPB110N20N3LFATMA1
Zukünftige Teilenummer FT-IPB110N20N3LFATMA1
SPQ / MOQ kontaktiere uns
Verpackungsmaterial Reel/Tray/Tube/Others
Serie OptiMOS™ 3
IPB110N20N3LFATMA1 Status (Lebenszyklus) Auf Lager
Teilestatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 200V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C 88A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 11 mOhm @ 88A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 4.2V @ 260µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs 76nC @ 10V
Vgs (Max) ±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 650pF @ 100V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 250W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount
Supplier Device Package PG-TO263-3
Paket / fall TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Herkunftsland USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
IPB110N20N3LFATMA1 Gewicht kontaktiere uns
Ersatzteilnummer IPB110N20N3LFATMA1-FT

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