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Infineon Technologies IPB114N03L G

Name: IPB114N03L G
Brand: Infineon Technologies
SKU: IPB114N03L G
Availability: InStock
Rating: 4.8 (230 reviews)

MFG-Teilenummer: IPB114N03L G

verfügbare Anzahl: 95810 Stücke

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Hersteller: Infineon Technologies

Kurze Beschreibung: OptiMOS™ MOSFET N-CH 30V 30A TO263-3

Bleifreier Status / RoHS-Status: RoHS-konform (bleifrei)

Feuchtigkeitsempfindlichkeitsgrad (MSL): 1 (unbegrenzt)

Datumscode (D / C): Neu

Produktkategorie: Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln

Lagerressource: Franchise-Händler

Garantie: 360 Tage Qualitätsgarantie

Datenblatt: IPB114N03L G.pdf

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IPB114N03L G Spezifikationen

Herstellerteilenummer	IPB114N03L G
Zukünftige Teilenummer	FT-IPB114N03L G
SPQ / MOQ	kontaktiere uns
Verpackungsmaterial	Reel/Tray/Tube/Others
Serie	OptiMOS™
IPB114N03L G Status (Lebenszyklus)	Auf Lager
Teilestatus	Obsolete
FET-Typ	N-Channel
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	30V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C	30A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	11.4 mOhm @ 30A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2.2V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs	14nC @ 10V
Vgs (Max)	±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds	1500pF @ 15V
FET-Funktion	-
Verlustleistung (max.)	38W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart	Surface Mount
Supplier Device Package	D²PAK (TO-263AB)
Paket / fall	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Herkunftsland	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
IPB114N03L G Gewicht	kontaktiere uns
Ersatzteilnummer	IPB114N03L G-FT

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