Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln / IPB123N10N3GATMA1
Herstellerteilenummer | IPB123N10N3GATMA1 |
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Zukünftige Teilenummer | FT-IPB123N10N3GATMA1 |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | OptiMOS™ |
IPB123N10N3GATMA1 Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
FET-Typ | N-Channel |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 100V |
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C | 58A (Tc) |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 6V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 12.3 mOhm @ 46A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3.5V @ 46µA |
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs | 35nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 2500pF @ 50V |
FET-Funktion | - |
Verlustleistung (max.) | 94W (Tc) |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Supplier Device Package | D²PAK (TO-263AB) |
Paket / fall | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IPB123N10N3GATMA1 Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | IPB123N10N3GATMA1-FT |
IXTA200N085T7
IXYS
IXTA220N055T7
IXYS
IXTA220N075T7
IXYS
IXTA240N055T7
IXYS
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IXYS
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IXTA98N075T7
IXYS
NP160N04TUG-E1-AY
Renesas Electronics America
NP160N055TUK-E1-AY
Renesas Electronics America
A1020B-2VQ80I
Microsemi Corporation
XC7A50T-3FGG484E
Xilinx Inc.
5SGXMB6R2F40I2N
Intel
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Intel
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Intel
XC5VLX110-3FFG1760C
Xilinx Inc.
LCMXO2-7000ZE-1FTG256C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-4000HE-6MG132C
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXBA7D4F31I5N
Intel
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Intel