Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln / IPB12CN10N G
Herstellerteilenummer | IPB12CN10N G |
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Zukünftige Teilenummer | FT-IPB12CN10N G |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | OptiMOS™ |
IPB12CN10N G Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Obsolete |
FET-Typ | N-Channel |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 100V |
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C | 67A (Tc) |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 12.6 mOhm @ 67A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 83µA |
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs | 65nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 4320pF @ 50V |
FET-Funktion | - |
Verlustleistung (max.) | 125W (Tc) |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Supplier Device Package | D²PAK (TO-263AB) |
Paket / fall | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IPB12CN10N G Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | IPB12CN10N G-FT |
IPB024N08N5ATMA1
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