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Herstellerteilenummer | IPB180N03S4LH0ATMA1 |
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Zukünftige Teilenummer | FT-IPB180N03S4LH0ATMA1 |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | OptiMOS™ |
IPB180N03S4LH0ATMA1 Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
FET-Typ | N-Channel |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 30V |
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C | 180A (Tc) |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 0.95 mOhm @ 100A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.2V @ 200µA |
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs | 300nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±16V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 23000pF @ 25V |
FET-Funktion | - |
Verlustleistung (max.) | 250W (Tc) |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Supplier Device Package | PG-TO263-7-3 |
Paket / fall | TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab) |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IPB180N03S4LH0ATMA1 Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | IPB180N03S4LH0ATMA1-FT |
IRFZ44E
Infineon Technologies
IRFZ44VZ
Infineon Technologies
IRFZ44Z
Infineon Technologies
IRFZ46Z
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IRFZ46ZPBF
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IRFZ48Z
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IRFZ48ZPBF
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IRL1004
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IRL1104
Infineon Technologies
IRL1104PBF
Infineon Technologies
A1010B-2VQ80I
Microsemi Corporation
EPF10K30ATC144-1
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XC3S500E-4PQ208I
Xilinx Inc.
AFS090-2FG256I
Microsemi Corporation
AGL1000V5-FGG256I
Microsemi Corporation
LCMXO3L-4300C-5BG324I
Lattice Semiconductor Corporation
EP2C20F484C6
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10AX022E3F29I2LG
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5CGXBC9A7U19C8N
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