Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln / IPB180N04S4LH0ATMA1
Herstellerteilenummer | IPB180N04S4LH0ATMA1 |
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Zukünftige Teilenummer | FT-IPB180N04S4LH0ATMA1 |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ |
IPB180N04S4LH0ATMA1 Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
FET-Typ | N-Channel |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 40V |
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C | 180A (Tc) |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1 mOhm @ 100A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.2V @ 180µA |
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs | 310nC @ 10V |
Vgs (Max) | +20V, -16V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 24440pF @ 25V |
FET-Funktion | - |
Verlustleistung (max.) | 250W (Tc) |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Supplier Device Package | PG-TO263-7-3 |
Paket / fall | TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab) |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IPB180N04S4LH0ATMA1 Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | IPB180N04S4LH0ATMA1-FT |
IRFZ46Z
Infineon Technologies
IRFZ46ZPBF
Infineon Technologies
IRFZ48Z
Infineon Technologies
IRFZ48ZPBF
Infineon Technologies
IRL1004
Infineon Technologies
IRL1104
Infineon Technologies
IRL1104PBF
Infineon Technologies
IRL3102
Infineon Technologies
IRL3102PBF
Infineon Technologies
IRL3103D1
Infineon Technologies
XCV1000E-8FG900C
Xilinx Inc.
LCMXO640C-4FTN256I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO3L-9400C-5BG484I
Lattice Semiconductor Corporation
M1AGL250V2-VQ100
Microsemi Corporation
M1AGL250V5-VQG100
Microsemi Corporation
EP2S60F484C5
Intel
5SGXMA7K3F40C3
Intel
XC4020E-2HQ208I
Xilinx Inc.
5AGXMA7G4F35I5N
Intel
EPF8820QC160-4
Intel