Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln / IPB180N04S4LH0ATMA1
Herstellerteilenummer | IPB180N04S4LH0ATMA1 |
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Zukünftige Teilenummer | FT-IPB180N04S4LH0ATMA1 |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ |
IPB180N04S4LH0ATMA1 Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
FET-Typ | N-Channel |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 40V |
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C | 180A (Tc) |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1 mOhm @ 100A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.2V @ 180µA |
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs | 310nC @ 10V |
Vgs (Max) | +20V, -16V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 24440pF @ 25V |
FET-Funktion | - |
Verlustleistung (max.) | 250W (Tc) |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Supplier Device Package | PG-TO263-7-3 |
Paket / fall | TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab) |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IPB180N04S4LH0ATMA1 Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | IPB180N04S4LH0ATMA1-FT |
IRFZ46Z
Infineon Technologies
IRFZ46ZPBF
Infineon Technologies
IRFZ48Z
Infineon Technologies
IRFZ48ZPBF
Infineon Technologies
IRL1004
Infineon Technologies
IRL1104
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IRL1104PBF
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IRL3102
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IRL3102PBF
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IRL3103D1
Infineon Technologies
LCMXO2-640HC-6TG100I
Lattice Semiconductor Corporation
XA3S400A-4FTG256I
Xilinx Inc.
A54SX72A-1FG484M
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A3P250-1FG256
Microsemi Corporation
ICE40UP3K-UWG30ITR1K
Lattice Semiconductor Corporation
EP4SE530H35C4N
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XC4VLX40-11FFG1148I
Xilinx Inc.
A3P1000-FGG144T
Microsemi Corporation
LCMXO640E-3MN100C
Lattice Semiconductor Corporation
EP1S20F780C7
Intel