Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln / IPB45N06S3L-13
Herstellerteilenummer | IPB45N06S3L-13 |
---|---|
Zukünftige Teilenummer | FT-IPB45N06S3L-13 |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | OptiMOS™ |
IPB45N06S3L-13 Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Obsolete |
FET-Typ | N-Channel |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 55V |
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C | 45A (Tc) |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 13.1 mOhm @ 26A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.2V @ 30µA |
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs | 75nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±16V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 3600pF @ 25V |
FET-Funktion | - |
Verlustleistung (max.) | 65W (Tc) |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Supplier Device Package | PG-TO263-3-2 |
Paket / fall | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IPB45N06S3L-13 Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | IPB45N06S3L-13-FT |
IPB04N03LB G
Infineon Technologies
IPB050N06NGATMA1
Infineon Technologies
IPB052N04NGATMA1
Infineon Technologies
IPB055N03LGATMA1
Infineon Technologies
IPB057N06NATMA1
Infineon Technologies
IPB05CN10N G
Infineon Technologies
IPB05N03LA
Infineon Technologies
IPB05N03LA G
Infineon Technologies
IPB05N03LAT
Infineon Technologies
IPB05N03LB
Infineon Technologies
EX64-TQ100I
Microsemi Corporation
M2GL090T-FCSG325I
Microsemi Corporation
M1AFS600-2FG256I
Microsemi Corporation
5SGXMA7N2F40I3N
Intel
XCS05-3PC84C
Xilinx Inc.
XC2V4000-5FFG1152I
Xilinx Inc.
AGL600V5-FGG144
Microsemi Corporation
EP3SL150F780C4LN
Intel
EPF10K30RC240-4N
Intel
EP1S60F1020C5N
Intel