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Infineon Technologies IPB45P03P4L11ATMA1

Name: IPB45P03P4L11ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: IPB45P03P4L11ATMA1
Price: 0.622648 USD
Availability: InStock
Rating: 4.8 (676 reviews)

MFG-Teilenummer: IPB45P03P4L11ATMA1

verfügbare Anzahl: 24400 Stücke

Referenzpreis: USD 0.622648

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Hersteller: Infineon Technologies

Kurze Beschreibung: Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ MOSFET P-CH TO263-3

Bleifreier Status / RoHS-Status: RoHS-konform (bleifrei)

Feuchtigkeitsempfindlichkeitsgrad (MSL): 1 (unbegrenzt)

Datumscode (D / C): Neu

Produktkategorie: Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln

Lagerressource: Franchise-Händler

Garantie: 360 Tage Qualitätsgarantie

Datenblatt: IPB45P03P4L11ATMA1.pdf

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IPB45P03P4L11ATMA1 Spezifikationen

Herstellerteilenummer	IPB45P03P4L11ATMA1
Zukünftige Teilenummer	FT-IPB45P03P4L11ATMA1
SPQ / MOQ	kontaktiere uns
Verpackungsmaterial	Reel/Tray/Tube/Others
Serie	Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
IPB45P03P4L11ATMA1 Status (Lebenszyklus)	Auf Lager
Teilestatus	Active
FET-Typ	P-Channel
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	30V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C	45A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	10.8 mOhm @ 45A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2V @ 85µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs	55nC @ 10V
Vgs (Max)	+5V, -16V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds	3770pF @ 25V
FET-Funktion	-
Verlustleistung (max.)	58W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart	Surface Mount
Supplier Device Package	PG-TO263-3-2
Paket / fall	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Herkunftsland	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
IPB45P03P4L11ATMA1 Gewicht	kontaktiere uns
Ersatzteilnummer	IPB45P03P4L11ATMA1-FT

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