Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln / IPB47N10S33ATMA1
Herstellerteilenummer | IPB47N10S33ATMA1 |
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Zukünftige Teilenummer | FT-IPB47N10S33ATMA1 |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | SIPMOS® |
IPB47N10S33ATMA1 Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Not For New Designs |
FET-Typ | N-Channel |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 100V |
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C | 47A (Tc) |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 33 mOhm @ 33A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 2mA |
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs | 105nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 2500pF @ 25V |
FET-Funktion | - |
Verlustleistung (max.) | 175W (Tc) |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Supplier Device Package | PG-TO263-3-2 |
Paket / fall | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IPB47N10S33ATMA1 Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | IPB47N10S33ATMA1-FT |
IPB05CN10N G
Infineon Technologies
IPB05N03LA
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IPB05N03LA G
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IPB05N03LAT
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IPB05N03LB
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IPB065N10N3GATMA1
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IPB06CN10N G
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IPB06N03LA
Infineon Technologies
XC7A15T-2FTG256C
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XCKU035-L1FFVA1156I
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A3PN030-Z1QNG48
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M2GL025T-VFG400
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EP3C5E144C7
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XC7A200T-1FF1156I
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A3P1000-1FGG144I
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AGL600V2-FG144I
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EP20K100EBI356-2X
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