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Infineon Technologies IPB60R040C7ATMA1
- MFG-Teilenummer
- IPB60R040C7ATMA1
- verfügbare Anzahl
- 92190 Stücke
- Referenzpreis
- USD 5.77356
- Unser Preis
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- Versanddatum
- Wir können heute ausliefern
- Hersteller
- Infineon Technologies
- Kurze Beschreibung
- CoolMOS™ C7 MOSFET N-CH 650V 50A TO263-3
- Bleifreier Status / RoHS-Status
- RoHS-konform (bleifrei)
- Feuchtigkeitsempfindlichkeitsgrad (MSL)
- 1 (unbegrenzt)
- Datumscode (D / C)
- Neu
- Produktkategorie
- Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln
- Lagerressource
- Franchise-Händler
- Garantie
- 360 Tage Qualitätsgarantie
- Datenblatt
- IPB60R040C7ATMA1.pdf
IPB60R040C7ATMA1 Spezifikationen
| Herstellerteilenummer | IPB60R040C7ATMA1 |
|---|---|
| Zukünftige Teilenummer | FT-IPB60R040C7ATMA1 |
| SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
| Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
| Serie | CoolMOS™ C7 |
| IPB60R040C7ATMA1 Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
| Teilestatus | Active |
| FET-Typ | N-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 650V |
| Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C | 50A (Tc) |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 40 mOhm @ 24.9A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 1.24mA |
| Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs | 107nC @ 10V |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 4340pF @ 400V |
| FET-Funktion | - |
| Verlustleistung (max.) | 227W (Tc) |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Supplier Device Package | PG-TO263-3 |
| Paket / fall | TO-263-4, D²Pak (3 Leads + Tab), TO-263AA |
| Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
| IPB60R040C7ATMA1 Gewicht | kontaktiere uns |
| Ersatzteilnummer | IPB60R040C7ATMA1-FT |
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