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Infineon Technologies IPB60R099C7ATMA1

Name: IPB60R099C7ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: IPB60R099C7ATMA1
Price: 2.429008 USD
Availability: InStock
Rating: 4.8 (649 reviews)

MFG-Teilenummer: IPB60R099C7ATMA1

verfügbare Anzahl: 53030 Stücke

Referenzpreis: USD 2.429008

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Hersteller: Infineon Technologies

Kurze Beschreibung: CoolMOS™ C7 MOSFET N-CH 650V 22A TO263-3

Bleifreier Status / RoHS-Status: RoHS-konform (bleifrei)

Feuchtigkeitsempfindlichkeitsgrad (MSL): 1 (unbegrenzt)

Datumscode (D / C): Neu

Produktkategorie: Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln

Lagerressource: Franchise-Händler

Garantie: 360 Tage Qualitätsgarantie

Datenblatt: IPB60R099C7ATMA1.pdf

IPB60R099C7ATMA1 Spezifikationen

Herstellerteilenummer	IPB60R099C7ATMA1
Zukünftige Teilenummer	FT-IPB60R099C7ATMA1
SPQ / MOQ	kontaktiere uns
Verpackungsmaterial	Reel/Tray/Tube/Others
Serie	CoolMOS™ C7
IPB60R099C7ATMA1 Status (Lebenszyklus)	Auf Lager
Teilestatus	Active
FET-Typ	N-Channel
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	650V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C	22A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	99 mOhm @ 9.7A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 490µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs	42nC @ 10V
Vgs (Max)	±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds	1819pF @ 400V
FET-Funktion	-
Verlustleistung (max.)	110W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart	Surface Mount
Supplier Device Package	PG-TO263-3
Paket / fall	TO-263-4, D²Pak (3 Leads + Tab), TO-263AA
Herkunftsland	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
IPB60R099C7ATMA1 Gewicht	kontaktiere uns
Ersatzteilnummer	IPB60R099C7ATMA1-FT

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