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Infineon Technologies IPB60R120C7ATMA1

Name: IPB60R120C7ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: IPB60R120C7ATMA1
Price: 1.913416 USD
Availability: InStock
Rating: 4.9 (658 reviews)

MFG-Teilenummer: IPB60R120C7ATMA1

verfügbare Anzahl: 51390 Stücke

Referenzpreis: USD 1.913416

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Hersteller: Infineon Technologies

Kurze Beschreibung: CoolMOS™ C7 MOSFET N-CH 650V 19A TO263-3

Bleifreier Status / RoHS-Status: RoHS-konform (bleifrei)

Feuchtigkeitsempfindlichkeitsgrad (MSL): 1 (unbegrenzt)

Datumscode (D / C): Neu

Produktkategorie: Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln

Lagerressource: Franchise-Händler

Garantie: 360 Tage Qualitätsgarantie

Datenblatt: IPB60R120C7ATMA1.pdf

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IPB60R120C7ATMA1 Spezifikationen

Herstellerteilenummer	IPB60R120C7ATMA1
Zukünftige Teilenummer	FT-IPB60R120C7ATMA1
SPQ / MOQ	kontaktiere uns
Verpackungsmaterial	Reel/Tray/Tube/Others
Serie	CoolMOS™ C7
IPB60R120C7ATMA1 Status (Lebenszyklus)	Auf Lager
Teilestatus	Active
FET-Typ	N-Channel
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	650V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C	19A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	120 mOhm @ 7.8A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 390µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs	34nC @ 10V
Vgs (Max)	±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds	1500pF @ 400V
FET-Funktion	-
Verlustleistung (max.)	92W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart	Surface Mount
Supplier Device Package	PG-TO263-3
Paket / fall	TO-263-4, D²Pak (3 Leads + Tab), TO-263AA
Herkunftsland	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
IPB60R120C7ATMA1 Gewicht	kontaktiere uns
Ersatzteilnummer	IPB60R120C7ATMA1-FT

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