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Infineon Technologies IPB60R125C6ATMA1

MFG-Teilenummer
IPB60R125C6ATMA1
verfügbare Anzahl
85630 Stücke
Referenzpreis
USD 2.264296
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Versanddatum
Wir können heute ausliefern
Hersteller
Infineon Technologies
Kurze Beschreibung
CoolMOS™ MOSFET N-CH 600V 30A TO263
Bleifreier Status / RoHS-Status
RoHS-konform (bleifrei)
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsgrad (MSL)
1 (unbegrenzt)
Datumscode (D / C)
Neu
Produktkategorie
Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln
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Garantie
360 Tage Qualitätsgarantie
Datenblatt
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IPB60R125C6ATMA1 Spezifikationen

Herstellerteilenummer IPB60R125C6ATMA1
Zukünftige Teilenummer FT-IPB60R125C6ATMA1
SPQ / MOQ kontaktiere uns
Verpackungsmaterial Reel/Tray/Tube/Others
Serie CoolMOS™
IPB60R125C6ATMA1 Status (Lebenszyklus) Auf Lager
Teilestatus Not For New Designs
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 600V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C 30A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 125 mOhm @ 14.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 3.5V @ 960µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs 96nC @ 10V
Vgs (Max) ±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 2127pF @ 100V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 219W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount
Supplier Device Package D²PAK (TO-263AB)
Paket / fall TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Herkunftsland USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
IPB60R125C6ATMA1 Gewicht kontaktiere uns
Ersatzteilnummer IPB60R125C6ATMA1-FT

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